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功率元器件的发展与电源IC技术的变革四

发布时间:2020-07-21 19:08:52 阅读: 来源:储能机厂家

今后而在罗姆提出的四大发展战略注13中,其中之一便是“强化以SiC为核心的功率元器件产品”。其实,罗姆在功率元器件领域的不断发展中,为推进节能减排,罗姆也一直致力于以新一代元件碳化硅(SiC),氮化镓(GaN)为原材料的产品的研发,并已陆续推出了适用于不同业界的各种解决方案,利用高新技术将这两种“理想器件”植入生活的各个层面。通过在高效化、大电流化、高耐压化、小型化、模块化等各个方面的研发,带来更多精彩的呈现。

<术语解说>

注1:SJ-MOSFET

超级结MOSFET的缩写。即超级结金属氧化物场效应三极管。

注2:MOSFET

Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor的缩写。即金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

注3:双极晶体管

又称双极型晶体管(Bipolar Transistor),由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。

注4:肖特基势垒二极管(SBD)

肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode,缩写成SBD)是一种热载流子二极管。

注5:快速恢复二极管(FRD)

快速恢复二极管(Fast Recovery Diode,缩写成FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管。

注6:二极管(Di)

又称晶体二极管,简称二极管(Diode,缩写成Di),是一种具有单向传导电流的电子器件。

注7:齐纳二极管

又称稳压二极管,是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。

注8:SiC

Silicon Carbide的缩写。即碳化硅,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。

注9:GaN

即氮化镓,属第三代半导体材料,六角纤锌矿结构。

注10:LDO

Low Dropout Regulator的缩写。即低压差线性稳压器。

注11:DC/DC转换器

是转变输入电压后有效输出固定电压的电压转换器。

注12:FET

Field Effect Transistor的缩写。场效应晶体管,简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。属于电压控制型半导体器件。

注13:四大发展战略

2008年罗姆于创立50周年之际,面向未来50年提出发展战略。其中包括:

(1)相乘战略:罗姆将融合模拟IC及LAPIS Semiconductor的数字LSI技术,开拓汽车、工控市场。

(2)功率元器件战略:以SiC为核心的元器件技术及依据功率IC的控制技术,以及将二者合二为一的模块技术,融合这三项技术,不断为节能环保做出贡献。

(3)LED战略:以LED照明为核心,从LED贴片、驱动IC到电源模块提供综合性LED综合解决方案。

(4)传感器战略:罗姆于2009年将MEMS加速度传感器的供应商Kionix公司纳入集团,以世界顶级的产品阵容,满足传感器市场的各种需求。

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